线性折射率：e 光：1.47@1053nm, 1.5@351nm；o 光：1.49@527nm；非线性折射率γ（10 -13esu）: o 光：2.16@351nm；e 光：1.79@351nm；*5.晶体 o 光、e 光折射率偏差分布Δn(no-ne)≤1*10 -6（RMS）；*6.光吸收系数α（cm -1）:≤0.02@1053nm、e 光,≤0.001@527nm、o光，≤0.003@351nm、e 光； .损伤阈值（J/cm 2）：≥30@1053nm（3.6ns），≥24@527nm（3.6ns），≥17@351nm(3.6ns)； .条纹度：5 级； .气泡度：无气泡（气泡或包裹体直径小于 0.08mm）；*11.相位跃变ΔФ（λ，λ=632.8nm）:0.029+0.016L+0.022L 2（0<L<3mm）,0.28 65 （3<L<33mm）；晶体抛亮后检测，目视无明显突变（突变如晶锥交界线，亮线等）；*12.II 类混频切割，晶体光轴与法线夹角 59°3′，Z 轴定轴误差≤3′，光轴一致性优于 2″；切割后在侧面用激光打标机标记光轴；o、e 轴与边缘平行度≤3′，垂直度：90°±2.5′； 条纹，杂质，前后表面及侧边裂痕，透过均匀性；崩边崩角尺寸≤0.5mm(对侧累计)；前后表面累计泵坑深度：≤0.5mm。